NAND-based MCP

Flash和LPDDR堆叠封装，节省PCB空间
产品优势

Flash和LPDDR堆叠封装，简化走线设计，节省PCB空间
核心电压1.8V，功耗更小，满足可穿戴设备和物联网对低功耗的需求
减少BOM表上的采购元件从而简化采购生产和节约成本

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产品参数
产品系列 闪存介质 容量 封装 电压 页大小 工作温度 尺寸 Rank Per
Channel		 P/N
LPDDR2 NAND-based MCP SLC NAND 1Gbit+1Gbit FBGA162 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR2: 1.14~1.30V 		2K Page -40~85℃ 8*10.5mm 1 F70ME0101F-RWT
LPDDR2 NAND-based MCP SLC NAND 2Gbit+1Gbit FBGA162 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR2: 1.14~1.30V 		2K Page -40~85℃ 8*10.5mm 1 F70ME0201F-RWT
LPDDR2 NAND-based MCP SLC NAND 2Gbit+2Gbit FBGA162 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR2: 1.14~1.30V 		2K Page -40~85℃ 8*10.5mm 1 F70ME0202A-RWT
LPDDR2 NAND-based MCP SLC NAND 4Gbit+2Gbit FBGA162 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR2: 1.14~1.30V 		4K Page -40~85℃ 8*10.5mm 1 F70ME0402A-RWT
LPDDR4x NAND-based MCP SLC NAND 4Gbit+6Gbit WFBGA149 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR4x: 1.06~1.17V 		4K Page -40~85℃ 8*9.5mm 1 F70NH0406A-SWT
LPDDR4x NAND-based MCP SLC NAND 4Gbit+8Gbit WFBGA149 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR4x: 1.06~1.17V 		4K Page -40~85℃ 8*9.5mm 1 F70NH0408A-SWT
LPDDR4x NAND-based MCP SLC NAND 8Gbit+6Gbit WFBGA149 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR4x: 1.06~1.17V 		4K Page -40~85℃ 8*9.5mm 1 F70NH0806A-SWT
LPDDR4x NAND-based MCP SLC NAND 8Gbit+8Gbit WFBGA149 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR4x: 1.06~1.17V 		4K Page -40~85℃ 8*9.5mm 1 F70NH0808A-SWT
*数据来源于江波龙内部测试，实际性能因设备差异，可能有所不同
产品特性
  • 01
    SLC NAND和LPDDR 2多芯片封装

  • 02
    工作电压兼容1.8V和1.2V，符合主流产品标准

  • 03
    温度范围包括-40℃~85℃和-25℃~85℃，为客户提供更多选择

  • 04
    容量组合包括1Gb+1Gb和 4Gb+2Gb，满足多种容量需求

  • 05
    封装为BGA162，适用更小的PCB空间

应用领域

  • POS机

  • 儿童手表

  • MIFI

  • 4G模块

  • 功能手机

兼容平台

序号

平台名称

01

英特尔（Intel）

02

全志（Allwinner）

03

联发科（Media Tek）

04

晶晨（Amlogic）

05

安霸（Ambarella）

06

瑞芯微（Rockchip）

07

美满（Marvell）

08

紫光展锐（UNISOC）

（此处只展示部分平台）


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