NAND-based MCP

Flash和LPDDR堆叠封装，节省PCB空间

产品优势

Flash和LPDDR堆叠封装，简化走线设计，节省PCB空间
核心电压1.8V，功耗更小，满足可穿戴设备和物联网对低功耗的需求
减少BOM表上的采购元件从而简化采购生产和节约成本

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产品参数

产品系列	闪存介质	容量	封装	电压	页大小	工作温度	尺寸	Rank Per Channel	P/N
LPDDR2 NAND-based MCP	SLC NAND	1Gbit+1Gbit	FBGA162	NAND: 1.7~1.95V LPDDR2: 1.14~1.30V	2K Page	-40~85℃	8*10.5mm	1	F70ME0101F-RWT
LPDDR2 NAND-based MCP	SLC NAND	2Gbit+1Gbit	FBGA162	NAND: 1.7~1.95V LPDDR2: 1.14~1.30V	2K Page	-40~85℃	8*10.5mm	1	F70ME0201F-RWT
LPDDR2 NAND-based MCP	SLC NAND	2Gbit+2Gbit	FBGA162	NAND: 1.7~1.95V LPDDR2: 1.14~1.30V	2K Page	-40~85℃	8*10.5mm	1	F70ME0202A-RWT
LPDDR2 NAND-based MCP	SLC NAND	4Gbit+2Gbit	FBGA162	NAND: 1.7~1.95V LPDDR2: 1.14~1.30V	4K Page	-40~85℃	8*10.5mm	1	F70ME0402A-RWT
LPDDR4x NAND-based MCP	SLC NAND	4Gbit+6Gbit	WFBGA149	NAND: 1.7~1.95V LPDDR4x: 1.06~1.17V	4K Page	-40~85℃	8*9.5mm	1	F70NH0406A-SWT
LPDDR4x NAND-based MCP	SLC NAND	4Gbit+8Gbit	WFBGA149	NAND: 1.7~1.95V LPDDR4x: 1.06~1.17V	4K Page	-40~85℃	8*9.5mm	1	F70NH0408A-SWT
LPDDR4x NAND-based MCP	SLC NAND	8Gbit+6Gbit	WFBGA149	NAND: 1.7~1.95V LPDDR4x: 1.06~1.17V	4K Page	-40~85℃	8*9.5mm	1	F70NH0806A-SWT
LPDDR4x NAND-based MCP	SLC NAND	8Gbit+8Gbit	WFBGA149	NAND: 1.7~1.95V LPDDR4x: 1.06~1.17V	4K Page	-40~85℃	8*9.5mm	1	F70NH0808A-SWT

*数据来源于江波龙内部测试，实际性能因设备差异，可能有所不同

产品特性

01
SLC NAND和LPDDR 2多芯片封装
02
工作电压兼容1.8V和1.2V，符合主流产品标准
03
温度范围包括-40℃~85℃和-25℃~85℃，为客户提供更多选择
04
容量组合包括1Gb+1Gb和 4Gb+2Gb，满足多种容量需求
05
封装为BGA162，适用更小的PCB空间

应用领域

POS机
儿童手表
MIFI
4G模块
功能手机

兼容平台

序号	平台名称
01	英特尔（Intel）
02	全志（Allwinner）
03	联发科（Media Tek）
04	晶晨（Amlogic）
05	安霸（Ambarella）
06	瑞芯微（Rockchip）
07	美满（Marvell）
08	紫光展锐（UNISOC）
（此处只展示部分平台）

资料下载

FORESEE_嵌入式存储选型指南_20230405